TSM2312CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Číslo dílu
TSM2312CX RFG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23
Ztráta energie (max.)
750mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
33 mOhm @ 4.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11.2nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43709 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TSM2312CX RFG
TSM2312CX RFG Elektronické komponenty
TSM2312CX RFG Odbyt
TSM2312CX RFG Dodavatel
TSM2312CX RFG Distributor
TSM2312CX RFG Datová tabulka
TSM2312CX RFG Fotky
TSM2312CX RFG Cena
TSM2312CX RFG Nabídka
TSM2312CX RFG Nejnižší cena
TSM2312CX RFG Vyhledávání
TSM2312CX RFG Nákup
TSM2312CX RFG Chip