TSM160N10LCR RLG
MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
Číslo dílu
TSM160N10LCR RLG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PDFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
73nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4431pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52273 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TSM160N10LCR RLG
TSM160N10LCR RLG Elektronické komponenty
TSM160N10LCR RLG Odbyt
TSM160N10LCR RLG Dodavatel
TSM160N10LCR RLG Distributor
TSM160N10LCR RLG Datová tabulka
TSM160N10LCR RLG Fotky
TSM160N10LCR RLG Cena
TSM160N10LCR RLG Nabídka
TSM160N10LCR RLG Nejnižší cena
TSM160N10LCR RLG Vyhledávání
TSM160N10LCR RLG Nákup
TSM160N10LCR RLG Chip