Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TSM061NA03CV RGG
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
Číslo dílu
TSM061NA03CV RGG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerWDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PDFN (3x3)
Ztráta energie (max.)
44.6W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.1 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1136pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26796 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TSM061NA03CV RGG
TSM061NA03CV RGG Elektronické komponenty
TSM061NA03CV RGG Odbyt
TSM061NA03CV RGG Dodavatel
TSM061NA03CV RGG Distributor
TSM061NA03CV RGG Datová tabulka
TSM061NA03CV RGG Fotky
TSM061NA03CV RGG Cena
TSM061NA03CV RGG Nabídka
TSM061NA03CV RGG Nejnižší cena
TSM061NA03CV RGG Vyhledávání
TSM061NA03CV RGG Nákup
TSM061NA03CV RGG Chip