Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RS1JLHR3G

RS1JLHR3G

DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Číslo dílu
RS1JLHR3G
Série
Automotive, AEC-Q101
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DO-219AB
Dodavatelský balíček zařízení
Sub SMA
Typ diody
Standard
Aktuální – Opravený průměr (Io)
800mA
Napětí - Forward (Vf) (Max) @ If
1.3V @ 800mA
Proud - Reverzní únik @ Vr
5µA @ 600V
Napětí - Reverzní DC (Vr) (Max)
600V
Rychlost
Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverzní doba zotavení (trr)
250ns
Provozní teplota - křižovatka
-55°C ~ 150°C
Kapacita @ Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34215 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova RS1JLHR3G
RS1JLHR3G Elektronické komponenty
RS1JLHR3G Odbyt
RS1JLHR3G Dodavatel
RS1JLHR3G Distributor
RS1JLHR3G Datová tabulka
RS1JLHR3G Fotky
RS1JLHR3G Cena
RS1JLHR3G Nabídka
RS1JLHR3G Nejnižší cena
RS1JLHR3G Vyhledávání
RS1JLHR3G Nákup
RS1JLHR3G Chip