Koupit Taiwan Semiconductor Corporation ES2BAHR3G DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

ES2BAHR3G

DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Číslo dílu

ES2BAHR3G

Výrobce/značka

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Automotive, AEC-Q101

Stav sekce

Active

Obal

Tape & Reel (TR)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

DO-214AC, SMA

Dodavatelský balíček zařízení

DO-214AC (SMA)

Typ diody

Standard

Aktuální – Opravený průměr (Io)

Napětí - Forward (Vf) (Max) @ If

950mV @ 2A

Proud - Reverzní únik @ Vr

10µA @ 100V

Napětí - Reverzní DC (Vr) (Max)

100V

Rychlost

Fast Recovery = 200mA (Io)

Reverzní doba zotavení (trr)

35ns

Provozní teplota - křižovatka

-55°C ~ 150°C

Kapacita @ Vr, F

25pF @ 4V, 1MHz

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 48317 PCS

Kontaktní informace

Související produkty