Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STU2NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
Číslo dílu
STU2NK100Z
Výrobce/značka
Série
SuperMESH™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
70W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.85A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.5 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
499pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40747 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STU2NK100Z
STU2NK100Z Elektronické komponenty
STU2NK100Z Odbyt
STU2NK100Z Dodavatel
STU2NK100Z Distributor
STU2NK100Z Datová tabulka
STU2NK100Z Fotky
STU2NK100Z Cena
STU2NK100Z Nabídka
STU2NK100Z Nejnižší cena
STU2NK100Z Vyhledávání
STU2NK100Z Nákup
STU2NK100Z Chip