Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STP24NM65N
MOSFET N-CH 650V 19A TO-220
Číslo dílu
STP24NM65N
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
160W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46155 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STP24NM65N
STP24NM65N Elektronické komponenty
STP24NM65N Odbyt
STP24NM65N Dodavatel
STP24NM65N Distributor
STP24NM65N Datová tabulka
STP24NM65N Fotky
STP24NM65N Cena
STP24NM65N Nabídka
STP24NM65N Nejnižší cena
STP24NM65N Vyhledávání
STP24NM65N Nákup
STP24NM65N Chip