Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STP18N60DM2
MOSFET N-CH 600V 12A
Číslo dílu
STP18N60DM2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ DM2
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
90W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
295 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12470 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STP18N60DM2
STP18N60DM2 Elektronické komponenty
STP18N60DM2 Odbyt
STP18N60DM2 Dodavatel
STP18N60DM2 Distributor
STP18N60DM2 Datová tabulka
STP18N60DM2 Fotky
STP18N60DM2 Cena
STP18N60DM2 Nabídka
STP18N60DM2 Nejnižší cena
STP18N60DM2 Vyhledávání
STP18N60DM2 Nákup
STP18N60DM2 Chip