Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STP16N50M2

STP16N50M2

MOSFET N-CH 500V 13A TO-220AB
Číslo dílu
STP16N50M2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ M2
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
280 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13034 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova STP16N50M2
STP16N50M2 Elektronické komponenty
STP16N50M2 Odbyt
STP16N50M2 Dodavatel
STP16N50M2 Distributor
STP16N50M2 Datová tabulka
STP16N50M2 Fotky
STP16N50M2 Cena
STP16N50M2 Nabídka
STP16N50M2 Nejnižší cena
STP16N50M2 Vyhledávání
STP16N50M2 Nákup
STP16N50M2 Chip