Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STP165N10F4
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
Číslo dílu
STP165N10F4
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
315W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34236 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STP165N10F4
STP165N10F4 Elektronické komponenty
STP165N10F4 Odbyt
STP165N10F4 Dodavatel
STP165N10F4 Distributor
STP165N10F4 Datová tabulka
STP165N10F4 Fotky
STP165N10F4 Cena
STP165N10F4 Nabídka
STP165N10F4 Nejnižší cena
STP165N10F4 Vyhledávání
STP165N10F4 Nákup
STP165N10F4 Chip