Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STP12N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220
Číslo dílu
STP12N65M5
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ V
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
70W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
430 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29373 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STP12N65M5
STP12N65M5 Elektronické komponenty
STP12N65M5 Odbyt
STP12N65M5 Dodavatel
STP12N65M5 Distributor
STP12N65M5 Datová tabulka
STP12N65M5 Fotky
STP12N65M5 Cena
STP12N65M5 Nabídka
STP12N65M5 Nejnižší cena
STP12N65M5 Vyhledávání
STP12N65M5 Nákup
STP12N65M5 Chip