Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STP11NM60FD
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
Číslo dílu
STP11NM60FD
Výrobce/značka
Série
FDmesh™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
160W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
450 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37145 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STP11NM60FD
STP11NM60FD Elektronické komponenty
STP11NM60FD Odbyt
STP11NM60FD Dodavatel
STP11NM60FD Distributor
STP11NM60FD Datová tabulka
STP11NM60FD Fotky
STP11NM60FD Cena
STP11NM60FD Nabídka
STP11NM60FD Nejnižší cena
STP11NM60FD Vyhledávání
STP11NM60FD Nákup
STP11NM60FD Chip