Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STP110N10F7
MOSFET N CH 100V 110A TO-220
Číslo dílu
STP110N10F7
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5500pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35068 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STP110N10F7
STP110N10F7 Elektronické komponenty
STP110N10F7 Odbyt
STP110N10F7 Dodavatel
STP110N10F7 Distributor
STP110N10F7 Datová tabulka
STP110N10F7 Fotky
STP110N10F7 Cena
STP110N10F7 Nabídka
STP110N10F7 Nejnižší cena
STP110N10F7 Vyhledávání
STP110N10F7 Nákup
STP110N10F7 Chip