Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STP10P6F6
MOSFET P CH 60V 10A TO-220
Číslo dílu
STP10P6F6
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™ VI
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
30W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 48V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35937 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STP10P6F6
STP10P6F6 Elektronické komponenty
STP10P6F6 Odbyt
STP10P6F6 Dodavatel
STP10P6F6 Distributor
STP10P6F6 Datová tabulka
STP10P6F6 Fotky
STP10P6F6 Cena
STP10P6F6 Nabídka
STP10P6F6 Nejnižší cena
STP10P6F6 Vyhledávání
STP10P6F6 Nákup
STP10P6F6 Chip