STN3P6F6
MOSFET P-CH 60V SOT-223
Číslo dílu
STN3P6F6
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™ VI
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223
Ztráta energie (max.)
2.6W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
-
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
160 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 48V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36118 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STN3P6F6
STN3P6F6 Elektronické komponenty
STN3P6F6 Odbyt
STN3P6F6 Dodavatel
STN3P6F6 Distributor
STN3P6F6 Datová tabulka
STN3P6F6 Fotky
STN3P6F6 Cena
STN3P6F6 Nabídka
STN3P6F6 Nejnižší cena
STN3P6F6 Vyhledávání
STN3P6F6 Nákup
STN3P6F6 Chip