STN1NK80Z
MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223
Číslo dílu
STN1NK80Z
Výrobce/značka
Série
SuperMESH™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223
Ztráta energie (max.)
2.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
250mA (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
160pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16800 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STN1NK80Z
STN1NK80Z Elektronické komponenty
STN1NK80Z Odbyt
STN1NK80Z Dodavatel
STN1NK80Z Distributor
STN1NK80Z Datová tabulka
STN1NK80Z Fotky
STN1NK80Z Cena
STN1NK80Z Nabídka
STN1NK80Z Nejnižší cena
STN1NK80Z Vyhledávání
STN1NK80Z Nákup
STN1NK80Z Chip