Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STL3N65M2
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Číslo dílu
STL3N65M2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ M2
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Ztráta energie (max.)
22W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
155pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26242 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STL3N65M2
STL3N65M2 Elektronické komponenty
STL3N65M2 Odbyt
STL3N65M2 Dodavatel
STL3N65M2 Distributor
STL3N65M2 Datová tabulka
STL3N65M2 Fotky
STL3N65M2 Cena
STL3N65M2 Nabídka
STL3N65M2 Nejnižší cena
STL3N65M2 Vyhledávání
STL3N65M2 Nákup
STL3N65M2 Chip