STL3N10F7
MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22
Číslo dílu
STL3N10F7
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-PowerWDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PowerFlat™ (2x2)
Ztráta energie (max.)
2.4W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
70 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
408pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21989 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STL3N10F7
STL3N10F7 Elektronické komponenty
STL3N10F7 Odbyt
STL3N10F7 Dodavatel
STL3N10F7 Distributor
STL3N10F7 Datová tabulka
STL3N10F7 Fotky
STL3N10F7 Cena
STL3N10F7 Nabídka
STL3N10F7 Nejnižší cena
STL3N10F7 Vyhledávání
STL3N10F7 Nákup
STL3N10F7 Chip