Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STI28N60M2

STI28N60M2

MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK
Číslo dílu
STI28N60M2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ M2
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK (TO-262)
Ztráta energie (max.)
170W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1440pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10802 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova STI28N60M2
STI28N60M2 Elektronické komponenty
STI28N60M2 Odbyt
STI28N60M2 Dodavatel
STI28N60M2 Distributor
STI28N60M2 Datová tabulka
STI28N60M2 Fotky
STI28N60M2 Cena
STI28N60M2 Nabídka
STI28N60M2 Nejnižší cena
STI28N60M2 Vyhledávání
STI28N60M2 Nákup
STI28N60M2 Chip