STH315N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Číslo dílu
STH315N10F7-2
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
H2Pak-2
Ztráta energie (max.)
315W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
12800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29714 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STH315N10F7-2
STH315N10F7-2 Elektronické komponenty
STH315N10F7-2 Odbyt
STH315N10F7-2 Dodavatel
STH315N10F7-2 Distributor
STH315N10F7-2 Datová tabulka
STH315N10F7-2 Fotky
STH315N10F7-2 Cena
STH315N10F7-2 Nabídka
STH315N10F7-2 Nejnižší cena
STH315N10F7-2 Vyhledávání
STH315N10F7-2 Nákup
STH315N10F7-2 Chip