STH260N6F6-6
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Číslo dílu
STH260N6F6-6
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™ VI
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Dodavatelský balíček zařízení
H2PAK-6
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
183nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31362 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STH260N6F6-6
STH260N6F6-6 Elektronické komponenty
STH260N6F6-6 Odbyt
STH260N6F6-6 Dodavatel
STH260N6F6-6 Distributor
STH260N6F6-6 Datová tabulka
STH260N6F6-6 Fotky
STH260N6F6-6 Cena
STH260N6F6-6 Nabídka
STH260N6F6-6 Nejnižší cena
STH260N6F6-6 Vyhledávání
STH260N6F6-6 Nákup
STH260N6F6-6 Chip