STH12N120K5-2
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Číslo dílu
STH12N120K5-2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ K5
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
H2Pak-2
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
690 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1370pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14002 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STH12N120K5-2
STH12N120K5-2 Elektronické komponenty
STH12N120K5-2 Odbyt
STH12N120K5-2 Dodavatel
STH12N120K5-2 Distributor
STH12N120K5-2 Datová tabulka
STH12N120K5-2 Fotky
STH12N120K5-2 Cena
STH12N120K5-2 Nabídka
STH12N120K5-2 Nejnižší cena
STH12N120K5-2 Vyhledávání
STH12N120K5-2 Nákup
STH12N120K5-2 Chip