Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STFU9N65M2
MOSFET
Číslo dílu
STFU9N65M2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ M2
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220FP
Ztráta energie (max.)
20W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
315pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42821 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STFU9N65M2
STFU9N65M2 Elektronické komponenty
STFU9N65M2 Odbyt
STFU9N65M2 Dodavatel
STFU9N65M2 Distributor
STFU9N65M2 Datová tabulka
STFU9N65M2 Fotky
STFU9N65M2 Cena
STFU9N65M2 Nabídka
STFU9N65M2 Nejnižší cena
STFU9N65M2 Vyhledávání
STFU9N65M2 Nákup
STFU9N65M2 Chip