Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STF7N60DM2
MOSFET
Číslo dílu
STF7N60DM2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ DM2
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220FP
Ztráta energie (max.)
25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
900 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
324pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22101 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STF7N60DM2
STF7N60DM2 Elektronické komponenty
STF7N60DM2 Odbyt
STF7N60DM2 Dodavatel
STF7N60DM2 Distributor
STF7N60DM2 Datová tabulka
STF7N60DM2 Fotky
STF7N60DM2 Cena
STF7N60DM2 Nabídka
STF7N60DM2 Nejnižší cena
STF7N60DM2 Vyhledávání
STF7N60DM2 Nákup
STF7N60DM2 Chip