STD9HN65M2
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Číslo dílu
STD9HN65M2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ M2
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
820 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
325pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46844 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD9HN65M2
STD9HN65M2 Elektronické komponenty
STD9HN65M2 Odbyt
STD9HN65M2 Dodavatel
STD9HN65M2 Distributor
STD9HN65M2 Datová tabulka
STD9HN65M2 Fotky
STD9HN65M2 Cena
STD9HN65M2 Nabídka
STD9HN65M2 Nejnižší cena
STD9HN65M2 Vyhledávání
STD9HN65M2 Nákup
STD9HN65M2 Chip