STD8NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Číslo dílu
STD8NM50N
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
790 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
364pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26218 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD8NM50N
STD8NM50N Elektronické komponenty
STD8NM50N Odbyt
STD8NM50N Dodavatel
STD8NM50N Distributor
STD8NM50N Datová tabulka
STD8NM50N Fotky
STD8NM50N Cena
STD8NM50N Nabídka
STD8NM50N Nejnižší cena
STD8NM50N Vyhledávání
STD8NM50N Nákup
STD8NM50N Chip