STD8N60DM2
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
Číslo dílu
STD8N60DM2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
85W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
375pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39221 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD8N60DM2
STD8N60DM2 Elektronické komponenty
STD8N60DM2 Odbyt
STD8N60DM2 Dodavatel
STD8N60DM2 Distributor
STD8N60DM2 Datová tabulka
STD8N60DM2 Fotky
STD8N60DM2 Cena
STD8N60DM2 Nabídka
STD8N60DM2 Nejnižší cena
STD8N60DM2 Vyhledávání
STD8N60DM2 Nákup
STD8N60DM2 Chip