STD7ANM60N
MOSFET N-CH 600V DPAK
Číslo dílu
STD7ANM60N
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
363pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7353 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD7ANM60N
STD7ANM60N Elektronické komponenty
STD7ANM60N Odbyt
STD7ANM60N Dodavatel
STD7ANM60N Distributor
STD7ANM60N Datová tabulka
STD7ANM60N Fotky
STD7ANM60N Cena
STD7ANM60N Nabídka
STD7ANM60N Nejnižší cena
STD7ANM60N Vyhledávání
STD7ANM60N Nákup
STD7ANM60N Chip