Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STD6N65M2
MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Číslo dílu
STD6N65M2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.35 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
226pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54814 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD6N65M2
STD6N65M2 Elektronické komponenty
STD6N65M2 Odbyt
STD6N65M2 Dodavatel
STD6N65M2 Distributor
STD6N65M2 Datová tabulka
STD6N65M2 Fotky
STD6N65M2 Cena
STD6N65M2 Nabídka
STD6N65M2 Nejnižší cena
STD6N65M2 Vyhledávání
STD6N65M2 Nákup
STD6N65M2 Chip