STD6N60M2
MOSFET N-CH 600V DPAK
Číslo dílu
STD6N60M2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II Plus
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
232pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31882 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD6N60M2
STD6N60M2 Elektronické komponenty
STD6N60M2 Odbyt
STD6N60M2 Dodavatel
STD6N60M2 Distributor
STD6N60M2 Datová tabulka
STD6N60M2 Fotky
STD6N60M2 Cena
STD6N60M2 Nabídka
STD6N60M2 Nejnižší cena
STD6N60M2 Vyhledávání
STD6N60M2 Nákup
STD6N60M2 Chip