STD3NM60N
MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
Číslo dílu
STD3NM60N
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.8 Ohm @ 1.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
188pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14568 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD3NM60N
STD3NM60N Elektronické komponenty
STD3NM60N Odbyt
STD3NM60N Dodavatel
STD3NM60N Distributor
STD3NM60N Datová tabulka
STD3NM60N Fotky
STD3NM60N Cena
STD3NM60N Nabídka
STD3NM60N Nejnižší cena
STD3NM60N Vyhledávání
STD3NM60N Nákup
STD3NM60N Chip