STD2HNK60Z
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Číslo dílu
STD2HNK60Z
Výrobce/značka
Série
SuperMESH™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
280pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33616 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD2HNK60Z
STD2HNK60Z Elektronické komponenty
STD2HNK60Z Odbyt
STD2HNK60Z Dodavatel
STD2HNK60Z Distributor
STD2HNK60Z Datová tabulka
STD2HNK60Z Fotky
STD2HNK60Z Cena
STD2HNK60Z Nabídka
STD2HNK60Z Nejnižší cena
STD2HNK60Z Vyhledávání
STD2HNK60Z Nákup
STD2HNK60Z Chip