Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STD1HN60K3
MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
Číslo dílu
STD1HN60K3
Výrobce/značka
Série
SuperMESH3™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
27W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46533 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD1HN60K3
STD1HN60K3 Elektronické komponenty
STD1HN60K3 Odbyt
STD1HN60K3 Dodavatel
STD1HN60K3 Distributor
STD1HN60K3 Datová tabulka
STD1HN60K3 Fotky
STD1HN60K3 Cena
STD1HN60K3 Nabídka
STD1HN60K3 Nejnižší cena
STD1HN60K3 Vyhledávání
STD1HN60K3 Nákup
STD1HN60K3 Chip