STD155N3H6
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Číslo dílu
STD155N3H6
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™ VI
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3650pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33967 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD155N3H6
STD155N3H6 Elektronické komponenty
STD155N3H6 Odbyt
STD155N3H6 Dodavatel
STD155N3H6 Distributor
STD155N3H6 Datová tabulka
STD155N3H6 Fotky
STD155N3H6 Cena
STD155N3H6 Nabídka
STD155N3H6 Nejnižší cena
STD155N3H6 Vyhledávání
STD155N3H6 Nákup
STD155N3H6 Chip