STD11NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Číslo dílu
STD11NM60N
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
90W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
450 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
850pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12663 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD11NM60N
STD11NM60N Elektronické komponenty
STD11NM60N Odbyt
STD11NM60N Dodavatel
STD11NM60N Distributor
STD11NM60N Datová tabulka
STD11NM60N Fotky
STD11NM60N Cena
STD11NM60N Nabídka
STD11NM60N Nejnižší cena
STD11NM60N Vyhledávání
STD11NM60N Nákup
STD11NM60N Chip