STD11N60M2-EP
N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP.,
Číslo dílu
STD11N60M2-EP
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ M2-EP
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
85W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
595 mOhm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19682 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD11N60M2-EP
STD11N60M2-EP Elektronické komponenty
STD11N60M2-EP Odbyt
STD11N60M2-EP Dodavatel
STD11N60M2-EP Distributor
STD11N60M2-EP Datová tabulka
STD11N60M2-EP Fotky
STD11N60M2-EP Cena
STD11N60M2-EP Nabídka
STD11N60M2-EP Nejnižší cena
STD11N60M2-EP Vyhledávání
STD11N60M2-EP Nákup
STD11N60M2-EP Chip