Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STD11N50M2
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
Číslo dílu
STD11N50M2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II Plus
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
85W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
530 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
395pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44080 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD11N50M2
STD11N50M2 Elektronické komponenty
STD11N50M2 Odbyt
STD11N50M2 Dodavatel
STD11N50M2 Distributor
STD11N50M2 Datová tabulka
STD11N50M2 Fotky
STD11N50M2 Cena
STD11N50M2 Nabídka
STD11N50M2 Nejnižší cena
STD11N50M2 Vyhledávání
STD11N50M2 Nákup
STD11N50M2 Chip