STD110N8F6
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
Číslo dílu
STD110N8F6
Výrobce/značka
Série
STripFET™ F6
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
167W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9130pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44224 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD110N8F6
STD110N8F6 Elektronické komponenty
STD110N8F6 Odbyt
STD110N8F6 Dodavatel
STD110N8F6 Distributor
STD110N8F6 Datová tabulka
STD110N8F6 Fotky
STD110N8F6 Cena
STD110N8F6 Nabídka
STD110N8F6 Nejnižší cena
STD110N8F6 Vyhledávání
STD110N8F6 Nákup
STD110N8F6 Chip