STD10P6F6
MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Číslo dílu
STD10P6F6
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™ VI
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
35W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 48V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28497 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD10P6F6
STD10P6F6 Elektronické komponenty
STD10P6F6 Odbyt
STD10P6F6 Dodavatel
STD10P6F6 Distributor
STD10P6F6 Datová tabulka
STD10P6F6 Fotky
STD10P6F6 Cena
STD10P6F6 Nabídka
STD10P6F6 Nejnižší cena
STD10P6F6 Vyhledávání
STD10P6F6 Nákup
STD10P6F6 Chip