STD10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Číslo dílu
STD10NM60N
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
70W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38466 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD10NM60N
STD10NM60N Elektronické komponenty
STD10NM60N Odbyt
STD10NM60N Dodavatel
STD10NM60N Distributor
STD10NM60N Datová tabulka
STD10NM60N Fotky
STD10NM60N Cena
STD10NM60N Nabídka
STD10NM60N Nejnižší cena
STD10NM60N Vyhledávání
STD10NM60N Nákup
STD10NM60N Chip