STD10N60M2
MOSFET N-CH 600V DPAK
Číslo dílu
STD10N60M2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II Plus
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
85W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46119 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD10N60M2
STD10N60M2 Elektronické komponenty
STD10N60M2 Odbyt
STD10N60M2 Dodavatel
STD10N60M2 Distributor
STD10N60M2 Datová tabulka
STD10N60M2 Fotky
STD10N60M2 Cena
STD10N60M2 Nabídka
STD10N60M2 Nejnižší cena
STD10N60M2 Vyhledávání
STD10N60M2 Nákup
STD10N60M2 Chip