STD105N10F7AG
MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
Číslo dílu
STD105N10F7AG
Výrobce/značka
Série
STripFET™ F7
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
61nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4369pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17853 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD105N10F7AG
STD105N10F7AG Elektronické komponenty
STD105N10F7AG Odbyt
STD105N10F7AG Dodavatel
STD105N10F7AG Distributor
STD105N10F7AG Datová tabulka
STD105N10F7AG Fotky
STD105N10F7AG Cena
STD105N10F7AG Nabídka
STD105N10F7AG Nejnižší cena
STD105N10F7AG Vyhledávání
STD105N10F7AG Nákup
STD105N10F7AG Chip