Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STB9NK80Z
MOSFET N-CH 800V D2PAK
Číslo dílu
STB9NK80Z
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1138pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41850 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB9NK80Z
STB9NK80Z Elektronické komponenty
STB9NK80Z Odbyt
STB9NK80Z Dodavatel
STB9NK80Z Distributor
STB9NK80Z Datová tabulka
STB9NK80Z Fotky
STB9NK80Z Cena
STB9NK80Z Nabídka
STB9NK80Z Nejnižší cena
STB9NK80Z Vyhledávání
STB9NK80Z Nákup
STB9NK80Z Chip