Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STB7NK80Z-1
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
Číslo dílu
STB7NK80Z-1
Výrobce/značka
Série
SuperMESH™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1138pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46695 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB7NK80Z-1
STB7NK80Z-1 Elektronické komponenty
STB7NK80Z-1 Odbyt
STB7NK80Z-1 Dodavatel
STB7NK80Z-1 Distributor
STB7NK80Z-1 Datová tabulka
STB7NK80Z-1 Fotky
STB7NK80Z-1 Cena
STB7NK80Z-1 Nabídka
STB7NK80Z-1 Nejnižší cena
STB7NK80Z-1 Vyhledávání
STB7NK80Z-1 Nákup
STB7NK80Z-1 Chip