STB7ANM60N
MOSFET N-CH 600V D2PAK
Číslo dílu
STB7ANM60N
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
363pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53447 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB7ANM60N
STB7ANM60N Elektronické komponenty
STB7ANM60N Odbyt
STB7ANM60N Dodavatel
STB7ANM60N Distributor
STB7ANM60N Datová tabulka
STB7ANM60N Fotky
STB7ANM60N Cena
STB7ANM60N Nabídka
STB7ANM60N Nejnižší cena
STB7ANM60N Vyhledávání
STB7ANM60N Nákup
STB7ANM60N Chip