Koupit STMicroelectronics STB6N65M2 MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

STB6N65M2

MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK

Číslo dílu

STB6N65M2

Výrobce/značka

STMicroelectronics

Série

MDmesh™

Stav sekce

Active

Obal

Digi-Reel®

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Dodavatelský balíček zařízení

D2PAK

Ztráta energie (max.)

60W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

650V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

1.35 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

9.8nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

226pF @ 100V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±25V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 22098 PCS

Kontaktní informace

Související produkty