Koupit STMicroelectronics STB45N60DM2AG MOSFET N-CH 600V 34A

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

STB45N60DM2AG

MOSFET N-CH 600V 34A

Číslo dílu

STB45N60DM2AG

Výrobce/značka

STMicroelectronics

Série

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Dodavatelský balíček zařízení

DPAK

Ztráta energie (max.)

250W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

600V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

34A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

90 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 100V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±25V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 8170 PCS

Kontaktní informace

Související produkty