Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STB36NM60N

STB36NM60N

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Číslo dílu
STB36NM60N
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
210W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
105 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
83.6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2722pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53824 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova STB36NM60N
STB36NM60N Elektronické komponenty
STB36NM60N Odbyt
STB36NM60N Dodavatel
STB36NM60N Distributor
STB36NM60N Datová tabulka
STB36NM60N Fotky
STB36NM60N Cena
STB36NM60N Nabídka
STB36NM60N Nejnižší cena
STB36NM60N Vyhledávání
STB36NM60N Nákup
STB36NM60N Chip