STB34N50DM2AG
MOSFET N-CH 500V 26A
Číslo dílu
STB34N50DM2AG
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
190W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
120 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1850pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48067 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB34N50DM2AG
STB34N50DM2AG Elektronické komponenty
STB34N50DM2AG Odbyt
STB34N50DM2AG Dodavatel
STB34N50DM2AG Distributor
STB34N50DM2AG Datová tabulka
STB34N50DM2AG Fotky
STB34N50DM2AG Cena
STB34N50DM2AG Nabídka
STB34N50DM2AG Nejnižší cena
STB34N50DM2AG Vyhledávání
STB34N50DM2AG Nákup
STB34N50DM2AG Chip