STB33N60M2
MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Číslo dílu
STB33N60M2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II Plus
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
190W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
125 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1781pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40092 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB33N60M2
STB33N60M2 Elektronické komponenty
STB33N60M2 Odbyt
STB33N60M2 Dodavatel
STB33N60M2 Distributor
STB33N60M2 Datová tabulka
STB33N60M2 Fotky
STB33N60M2 Cena
STB33N60M2 Nabídka
STB33N60M2 Nejnižší cena
STB33N60M2 Vyhledávání
STB33N60M2 Nákup
STB33N60M2 Chip